规格书 |
DMG4466SSS |
文档 |
Bond Wire 11/Nov/2011 Multiple Device Changes 29/Apr/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品更改通知 | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 10A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 23 mOhm @ 10A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 17nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 478.9pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1.42W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
供应商器件封装 | 8-SOP |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 8SO |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 30 V |
最大连续漏极电流 | 10 A |
RDS -于 | 23@10V mOhm |
最大门源电压 | ±25 V |
典型导通延迟时间 | 2.9 ns |
典型上升时间 | 7.9 ns |
典型关闭延迟时间 | 14.6 ns |
典型下降时间 | 3.1 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
单位包 | 2500 |
最小起订量 | 2500 |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 10A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.4V @ 250µA |
供应商设备封装 | 8-SOP |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 23 mOhm @ 10A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1.42W |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 478.9pF @ 15V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 17nC @ 10V |
封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | DMG4466SSS-13DICT |
安装风格 | SMD/SMT |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Single |
源极击穿电压 | +/- 25 V |
连续漏极电流 | 10 A |
功率耗散 | 1.42 W |
最低工作温度 | - 55 C |
封装/外壳 | SO-8 |
上升时间 | 7.9 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 30 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 3.1 ns |
工厂包装数量 | 2500 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
产品 | MOSFET Small Signal |
品牌 | Diodes Incorporated |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 10 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 33 mOhms |
系列 | DMG4466 |
Pd - Power Dissipation | 1.42 W |
技术 | Si |
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