1. DMG4466SSS-13
  2. DMG4466SSS-13
  3. DMG4466SSS-13
  4. DMG4466SSS-13

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

DMG4466SSS-13 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R

内部编号

110-DMG4466SSS-13

生产厂商

diodes, inc

diodes

#1

数量:995
1+¥2.8035
10+¥2.1812
100+¥1.1829
1000+¥0.8889
2500+¥0.7658
10000+¥0.7111
25000+¥0.6496
50000+¥0.6291
100000+¥0.5949
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

#2

数量:4802
1+¥3.7021
10+¥2.9058
100+¥1.9942
500+¥1.3675
1000+¥1.0257
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#3

数量:2500
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

DMG4466SSS-13产品详细规格

规格书 DMG4466SSS-13 datasheet 规格书
DMG4466SSS-13 datasheet 规格书
DMG4466SSS
文档 Bond Wire 11/Nov/2011
Multiple Device Changes 29/Apr/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Bond Wire Change 11/Nov/2011
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 10A
Rds(最大)@ ID,VGS 23 mOhm @ 10A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 17nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 478.9pF @ 15V
功率 - 最大 1.42W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 8-SOP
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 8SO
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 10 A
RDS -于 23@10V mOhm
最大门源电压 ±25 V
典型导通延迟时间 2.9 ns
典型上升时间 7.9 ns
典型关闭延迟时间 14.6 ns
典型下降时间 3.1 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
单位包 2500
最小起订量 2500
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 10A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.4V @ 250µA
供应商设备封装 8-SOP
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 23 mOhm @ 10A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.42W
漏极至源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss ) @ VDS 478.9pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 17nC @ 10V
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 DMG4466SSS-13DICT
安装风格 SMD/SMT
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 25 V
连续漏极电流 10 A
功率耗散 1.42 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 SO-8
上升时间 7.9 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 3.1 ns
工厂包装数量 2500
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage 25 V
产品 MOSFET Small Signal
品牌 Diodes Incorporated
通道数 1 Channel
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 10 A
Rds On - Drain-Source Resistance 33 mOhms
系列 DMG4466
Pd - Power Dissipation 1.42 W
技术 Si

DMG4466SSS-13系列产品

DMG4466SSS-13相关搜索

订购DMG4466SSS-13.产品描述:Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R. 生产商: diodes, inc.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-57196138
    010-82149921
    010-82149008
    010-62155488
    010-82149488
  • 深圳
  • 0755-83975736
    0755-83997440
    0755-82511472
    0755-83247615
  • 苏州
  • 0512-68796728
    0512-67683728
    0512-67687578
    0512-67684200
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com