图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:10000 |
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最小起订量:2500 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:3020 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:5000 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
 2DD2098R |
| 文档 |
SOT-89 Package Side 2 SOT-89 Package Top SOT-89 Package Side 1 Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 5A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 20V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1V @ 100mA, 4A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 180 @ 500mA, 2V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 频率转换 | 220MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-243AA |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | NPN Transistors###/catalog/en/partgroup/npn-transistors/14684?mpart=2DD2098R-13&vendor=31&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 包装 | 4SOT-89 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 4 |
| 最大集电极发射极电压 | 20 V |
| 集电极最大直流电流 | 10 A |
| 最小直流电流增益 | 180@0.5A@2V |
| 最大工作频率 | 220(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.1A@4A V |
| 最大集电极基极电压 | 50 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1000 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 10 |
| Maximum Transition Frequency | 220(Typ) |
| 包装宽度 | 2.5 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 50 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-89 |
| 标准包装名称 | SOT-89 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 4.5 |
| 最大集电极发射极电压 | 20 |
| 包装高度 | 1.5 |
| 最大基地发射极电压 | 6 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Flat |
| 单位包 | 2500 |
| 最小起订量 | 2500 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 5A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 220MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1V @ 100mA, 4A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 20V |
| 供应商设备封装 | SOT-89-3 |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 180 @ 500mA, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | 2DD2098RDICT |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 增益带宽产品fT | 220 MHz |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 180 at 0.5 A at 2 V |
| 直流电流增益hFE最大值 | 180 at 0.5 A at 2 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 50 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1 V |
| 长度 | 4.5 mm |
| 系列 | 2DD2 |
| 身高 | 1.5 mm |
| Pd - Power Dissipation | 1000 mW |
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