规格书 |
![]() ![]() 2DB1386(Q,R) |
文档 |
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 5A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 20V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1V @ 100mA, 4A |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 120 @ 500mA, 2V |
功率 - 最大 | 1W |
频率转换 | 100MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-243AA |
供应商器件封装 | SOT-89-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 4SOT-89 |
类型 | PNP |
引脚数 | 4 |
最大集电极发射极电压 | 20 V |
集电极最大直流电流 | 5 A |
最小直流电流增益 | 120@0.5A@2V |
最大工作频率 | 100(Typ) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.1A@4A V |
最大集电极基极电压 | 30 V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 1000 mW |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
集电极最大直流电流 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 100(Typ) |
包装宽度 | 2.48 |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 1000 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 30 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | SOT-89 |
标准包装名称 | SOT-89 |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 4.5 |
最大集电极发射极电压 | 20 |
包装高度 | 1.5 |
最大基地发射极电压 | 6 |
封装 | Tape and Reel |
标签 | Tab |
铅形状 | Flat |
单位包 | 2500 |
最小起订量 | 2500 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 5A |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 100MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1V @ 100mA, 4A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 20V |
供应商设备封装 | SOT-89-3 |
功率 - 最大 | 1W |
封装/外壳 | TO-243AA |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 120 @ 500mA, 2V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | 2DB1386Q-13DICT |
工厂包装数量 | 2500 |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | PNP |
发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
直流集电极/增益hfe最小值 | 120 at 0.5 A at 2 V |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 20 V |
安装风格 | SMD/SMT |
集电极 - 基极电压VCBO | 30 V |
最低工作温度 | - 55 C |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
系列 | 2DB13 |
品牌 | Diodes Incorporated |
Pd - Power Dissipation | 1000 mW |
身高 | 1.5 mm |
长度 | 4.5 mm |
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