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文档 |
SOT-89 Package Side 2 SOT-89 Package Top SOT-89 Package Side 1 Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 |
标准包装 | 2,500 |
晶体管类型 | PNP |
集电极电流(Ic)(最大) | 2A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 32V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 800mV @ 200mA, 2A |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 82 @ 500mA, 3V |
功率 - 最大 | 1W |
频率转换 | 120MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-243AA |
供应商器件封装 | SOT-89-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
动态目录 | PNP Transistors###/catalog/en/partgroup/pnp-transistors/15177?mpart=2DB1188P-13&vendor=31&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
包装 | 4SOT-89 |
类型 | PNP |
引脚数 | 4 |
最大集电极发射极电压 | 32 V |
集电极最大直流电流 | 2 A |
最小直流电流增益 | 82@0.5A@3V |
最大工作频率 | 120(Typ) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.8@0.2A@2A V |
最大集电极基极电压 | 40 V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 1000 mW |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
集电极最大直流电流 | 2 |
Maximum Transition Frequency | 120(Typ) |
包装宽度 | 2.48 |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 1000 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 40 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | SOT-89 |
标准包装名称 | SOT-89 |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 4.5 |
最大集电极发射极电压 | 32 |
包装高度 | 1.5 |
最大基地发射极电压 | 6 |
封装 | Tape and Reel |
标签 | Tab |
铅形状 | Flat |
单位包 | 2500 |
最小起订量 | 2500 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 2A |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 120MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 800mV @ 200mA, 2A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 32V |
供应商设备封装 | SOT-89-3 |
功率 - 最大 | 1W |
封装/外壳 | TO-243AA |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 82 @ 500mA, 3V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | 2DB1188PDICT |
工厂包装数量 | 2500 |
增益带宽产品fT | 120 MHz |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | PNP |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
直流集电极/增益hfe最小值 | 82 at 0.5 A at 3 V |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 32 V |
安装风格 | SMD/SMT |
集电极 - 基极电压VCBO | 40 V |
最低工作温度 | - 55 C |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
集电极电流(DC ) | 2 A |
集电极 - 基极电压 | 40 V |
集电极 - 发射极电压 | 32 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
频率 | 120 MHz |
功率耗散 | 1 W |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | SOT-89 |
元件数 | 1 |
直流电流增益 | 82 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
频率 - 跃迁 | 120MHz |
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 800mV @ 200mA, 2A |
晶体管类型 | PNP |
PPAP Capable (Y/N) | Y |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 32V |
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 82 @ 500mA, 3V |
Qualified to AECQ101 (Y/N) | Y |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A |
功率 - 最大值 | 1W |
系列 | 2DB11 |
身高 | 1.5 mm |
长度 | 4.5 mm |
Pd - Power Dissipation | 1000 mW |
品牌 | Diodes Incorporated |
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