图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 2DB1132(P,Q,R) |
| 文档 |
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 1A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 32V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 500mV @ 50mA, 500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 82 @ 100mA, 3V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 频率转换 | 190MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-243AA |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 4SOT-89 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 4 |
| 最大集电极发射极电压 | 32 V |
| 集电极最大直流电流 | 1 A |
| 最小直流电流增益 | 82@100mA@3V |
| 最大工作频率 | 190(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.5@50mA@500mA V |
| 最大集电极基极电压 | 40 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1000 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 1 |
| Maximum Transition Frequency | 190(Typ) |
| 包装宽度 | 2.48 |
| PCB | 3 |
| 筛选等级 | Commercial |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 40 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-89 |
| 标准包装名称 | SOT-89 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 4.5 |
| 最大集电极发射极电压 | 32 |
| 包装高度 | 1.5 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Flat |
| 单位包 | 2500 |
| 最小起订量 | 5000 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 190MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 50mA, 500mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 32V |
| 供应商设备封装 | SOT-89-3 |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 82 @ 100mA, 3V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 增益带宽产品fT | 190 MHz |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 82 at 100 mA at 3 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 32 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 40 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流（DC ） | 1 A |
| 集电极 - 基极电压 | 40 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 32 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率 | 190 MHz |
| 功率耗散 | 1 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-89 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 82 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 - 跃迁 | 190MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 500mV @ 50mA, 500mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| PPAP Capable (Y/N) | Y |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 32V |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 82 @ 100mA, 3V |
| Qualified to AECQ101 (Y/N) | Y |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1A |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 系列 | 2DB11 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| Pd - Power Dissipation | 1000 mW |
| 身高 | 1.5 mm |
| 长度 | 4.5 mm |
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