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VQ1001P
| 制造商 | |
| 描述 | QUAD N-CH MOSFET SIDEBRAZE-14 30V 1.0 OHM (HOTS) Trans MOSFET N-CH 30V 0.83A 14-Pin SBCDIP MOSFET N-CH QD 30V 830mA 14DIP MOSFET QD 30V 0.53A MOSFET 4N-CH 30V 830MA 14DIP |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 50 | 单位包装 | 25 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 工厂包装数量 | 25 | 标准封装名称 | SBCDIP |
合规参数
| RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | 欧盟RoHS | Not Compliant |
电气参数
| FET类型 | 4 N-Channel | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 1.3W |
| 额定功率 | 2 W | 晶体管类型 | N-Channel |
| 元件数量 | 4 | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 击穿电压 | 30 V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1000@12V mOhm |
| 最大功耗 | 2000 | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 1000@12V | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.83 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.83 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 110pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 830mA | ||
机械参数
| 宽度 | 7.87 mm | 高度 | 4.45 mm |
| 长度 | 19.56 mm | 重量 | 0.042329 oz |
| 包装方式 | * | 引脚样式 | Through Hole |
| 安装类型 | Through Hole | 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | 14SBCDIP | 总长度 | 19.56(Max) |
| 包装数量 | SBCDIP | 位数 | 14 |
| 外壳尺寸-插件 | 3.05(Max) | 供应商器件封装 | * |
产品信息
| 技术 | Si | 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | Vishay Semiconductors | 配置 | Quad |
| 印刷电路板数量 | 14 | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||