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SUM45N25-58-E3
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-263 MOSFET 250V 45A 375W 58mohm @ 10V N-CH 250V 45A 58mOhm TO263-3 MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK SUM45N25-58-E3, N-channel MOSFET Transistor 45A 250V, 3-Pin TO-263 MOSFET,N CH,W DIODE,250V,45A,D2PAK Vishay N沟道 Si MOSFET , 45 A, Vds=250 V, 3针 TO-263封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 800 | 单位包装 | 800 |
| 其他名称 | SUM45N25-58-E3CT | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Rail / Tube, Tape & Reel | 工厂包装数量 | 800 |
| 标准封装名称 | D2PAK | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 | 汽车级 | NO |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 145 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | 逻辑类型 | NO |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 3.75W |
| 额定功率 | 3.75 W | 下降时间（典型） | 145 ns |
| 上升时间（典型） | 220 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 40 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA | 击穿电压 | 250 V |
| 阈值电压 | :4V | 导通电阻 RDS(On) | :0.047ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 58@10V mOhm | 最大功耗 | 3.75 W |
| 传播延迟（最大） | 220 ns | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 250 V |
| 每端口功率（瓦） | 375W | 导通电阻（最大） | 0.058 Ω |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 250V | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 140nC |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 22 ns | 漏源电压（Vdss） | 250V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 45 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 30 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 45 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 5000pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 45A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 9.65mm | 高度 | 4.83mm |
| 长度 | 10.41mm | 重量 | 0.00143 |
| 包装方式 | Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :3 | 封装形式 | 3TO-263 |
| 冷却的封装 | TO-263 | 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 包装数量 | TO-263 | 尺寸/外形 | 10.41 x 9.65 x 4.83mm |
| 位数 | 3 | 供应商器件封装 | TO-263 (D2Pak) |
产品信息
| 匹配码 | SUM45N25-58-E3 | 技术 | TrenchFET |
| 通道类型 | Enhancement | 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single | 标准交期 | 15 weeks |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 175 °C | 热阻 @ GPM | 0.4K/W |