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SIHU6N62E-GE3
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 620V 6A TO-251 MOSFET 620V 900mOhm@10V 6A N-Ch E-SRS |
| 分类 |
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商业参数
| 商标名 | TrenchFET | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 3,000 | 工厂包装数量 | 3000 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 16 ns |
| FET特性 | Standard | 栅极电荷 | 34 nC |
| 最大功率 | 78W | 额定功率 | 78 W |
| 上升时间（典型） | 10 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 22 ns | Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 3A, 10V | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 700 V |
| 电流传输比（最小） | 1.8 S | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 34nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 620V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 6 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 578pF @ 100V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 6A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 2.39 mm | 高度 | 6.22 mm |
| 长度 | 6.73 mm | 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole | 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB | 供应商器件封装 | IPAK (TO-251) |
产品信息
| 系列 | E | 技术 | Si |
| 制造商全称 | Vishay Semiconductors | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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