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SIHG22N60E-E3
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC MOSFET N-Channel 600V 21A TO247AC MOSFET, N CH, 600V, 21A, TO-247AC Vishay E Series 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 , 21 A, Vds=600 V, 3针 TO-247AC封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 1 | 单位包装 | 0 |
| 其他名称 | SIHG22N60EE3 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 500 | 标准封装名称 | TO-247 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85044090 | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Standard | 栅极电荷 | 57 nC |
| 最大功率 | 227W | 额定功率 | 227 W |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 59 ns |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 600 V | 阈值电压 | :2V |
| 导通电阻 RDS(On) | :0.15ohm | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| 最大功耗 | 227 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 600 V |
| 导通电阻（最大） | 0.18 Ω | 电流传输比（最小） | 6.4 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 86nC @ 10V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 18 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 21 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 21 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1920pF @ 100V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 21A (Tc) |
机械参数
| 宽度 | 5.31mm | 高度 | 20.7mm |
| 长度 | 15.87mm | 重量 | 0.006 |
| 包装方式 | Tube | 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Through Hole | 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole | 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | TO-247-3 | 冷却的封装 | TO247AC |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 总长度 | 15.87(Max) |
| 包装数量 | TO-247AC | 尺寸/外形 | 15.87 x 5.31 x 20.7mm |
| 位数 | 3 | 外壳尺寸-插件 | 20.7(Max) |
| 供应商器件封装 | TO-247AC | ||
产品信息
| 系列 | E | 通道类型 | N |
| 卡标准 | Power MOSFET | 配置 | Single |
| 印刷电路板数量 | 3 | ||
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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