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SIA430DJ-T1-GE3
| 制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. |
| 描述 | MOSFET 20V 12A 19.2W 13.5mohm @ 10V Trans MOSFET N-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R N-CHANNEL-FET 12A 20V PP-SC70-6 MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6 N CHANNEL MOSFET, 20V, 12A, SC-70 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | SIA430DJ-T1-GE3CT | 零件号别名 | SIA430DJ-GE3 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 | 标准封装名称 | SOT-23 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 | 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 10 ns, 8 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | :20V | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 19.2W | 额定功率 | 3.5 W |
| 上升时间（典型） | 10 ns, 8 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 15 ns, 17 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 3V @ 250µA | 击穿电压 | 20 |
| 阈值电压 | :3V | 导通电阻 RDS(On) | :18.5mohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 0.0135 Ohms | 最大功耗 | 3500 |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 20 V | 每端口功率（瓦） | 19W |
| 导通电阻（最大） | 13.5@10V | 供电电压 (Vcc/Vdd) | 20V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 18nC @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 12 | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 12 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 800pF @ 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 12A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 2.05 | 重量 | 0 |
| 包装方式 | Reel | 引脚样式 | No Lead |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :6 | 封装形式 | PowerPAK SC-70-6L |
| 总长度 | 2.05 | 包装数量 | PowerPAK SC-70 |
| 位数 | 6 | 外壳尺寸-插件 | 0.75 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 Single | ||
产品信息
| 极性 | N CHAN. | 匹配码 | SIA430DJ |
| 通道类型 | N | 配置 | Single Quad Drain Dual Source |
| 标准交期 | 15 weeks | 印刷电路板数量 | 6 |
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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