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SI7882DP-T1-E3
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 12V 13A 8-Pin PowerPAK SO T/R N-CH REDUCED QG FAST SWITCH MOSFET MOSFET N-CH D-S 12V PPAK 8SOIC MOSFET, N, 8-SOIC |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 1 | 单位包装 | 0 |
| 标准包装数量 | Tape & Reel | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±8 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 1.9W |
| 下降时间（典型） | 35 ns | 晶体管类型 | :N Channel |
| 首抽头延迟 | 82 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.4V @ 250µA | 击穿电压 | 12 V |
| 阈值电压 | :1.4V | 最大额定电流 | :13A |
| 导通电阻 RDS(On) | :5.5mohm | 触点电压（最大） | :12V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 5.5@4.5V mOhm | 最大功耗 | :5W |
| 传播延迟（最大） | 32 ns | 导通电阻（最大） | 5.5@4.5V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 30nC @ 4.5V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 28 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 13 A |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 13A (Ta) | ||
机械参数
| 宽度 | 5.89 | 重量 | 0.0001 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | No Lead |
| 端接方式 | :SMD | 安装类型 | Surface Mount |
| 引脚数 | :8 | 封装形式 | 8PowerPAK SO |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 总长度 | 4.9 |
| 包装数量 | PowerPAK SO | 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.04 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
产品信息
| 通道类型 | Enhancement | 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||
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