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SI7820DN-T1-GE3

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SI7820DN-T1-GE3

制造商
描述
MOSFET 200V 2.6A 3.8W 240mohm @ 10V Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8 N CH MOSFET, 200V, 2.6A, POWERPAK
分类
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商业参数

最小起订量3000单位包装3000
其他名称SI7820DN-T1-GE3CT标准包装数量3,000
标准封装名称PowerPAK 1212

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant
海关税号85412100

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide最大栅源电压 Vgs:6V
FET特性Logic Level Gate最大功率1.5W
晶体管类型:N Channel元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id4V @ 250µA击穿电压200
阈值电压:4V导通电阻 RDS(On):250mohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs240 mOhm @ 2.6A, 10V最大功耗1500
导通电阻(最大)240@10V栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs18nC @ 10V
漏源电压(Vdss)200V峰值脉冲电流(10/1000µs)1.7
连续漏极电流(Id)@ 25°C1.7A (Ta)

机械参数

宽度3.05重量0
包装方式Tape and Reel引脚样式No Lead
安装类型Surface Mount引脚数:8
封装形式PowerPAK® 1212-8总长度3.05
包装数量PowerPAK 1212位数8
外壳尺寸-插件1.04供应商器件封装PowerPAK® 1212-8

产品信息

通道类型N印刷电路板数量8

环境参数

工作温度150

文档与媒体

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