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SI6866DQ-T1
| 制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. |
| 描述 | MOSFET 20V 5.8A |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 1 | 单位包装 | 0 |
| 产品类别 | MOSFET | 工厂包装数量 | 3000 |
合规参数
| RoHS | No | ||
电气参数
| 下降时间 | 37 ns | 额定功率 | 1.2 W |
| 上升时间（典型） | 37 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 41 ns | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 30 mOhms |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 20 V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 12 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 5.8 A | ||
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | TSSOP-8 | ||
产品信息
| 配置 | Dual | ||
环境参数
| 机械寿命 | Obsolete | 工作温度 | + 150 C |