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SI4816DY-T1-E3
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A/7.7A 8-Pin SOIC N T/R MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC DUAL N CH/SCHOTTKY MOSFET, 30V SOIC |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 1 | 单位包装 | 0 |
| 其他名称 | SI4816DY-T1-E3CT | 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 标准封装名称 | SOIC | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412100 | 抗辐射加固 | No |
电气参数
| FET类型 | 2 N-Channel (Dual) | 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 1W, 1.25W |
| 额定功率 | 7.7 W | 下降时间（典型） | 8@Channel 1|12@Channel 2 ns |
| 晶体管类型 | :N Channel + Schottky | 首抽头延迟 | 26@Channel 1|44@Channel 2 ns |
| 元件数量 | 2 | Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 击穿电压 | 30 V | 阈值电压 | :2V |
| 导通电阻 RDS(On) | :18mohm | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 22@10V@Channel 1|13@10V@Channel 2 mOhm |
| 最大功耗 | 1000@Channel 1|1250@Channel 2 | 传播延迟（最大） | 5 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V | 导通电阻（最大） | 22@10V@Channel 1|13@10V@Channel 2 |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 12nC @ 5V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 10@Channel 1|15@Channel 2 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 5.3@Channel 1|7.7@Channel 2 A |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 5.3 A | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 5.3A, 7.7A |
机械参数
| 宽度 | 4(Max) | 重量 | 0.002 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount | 封装形式 | 8SOIC N |
| 冷却的封装 | SOIC N | 总长度 | 5(Max) |
| 包装数量 | SOIC N | 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.55(Max) | 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 已删除 | Compliant |
| 极性 | N | 通道类型 | Enhancement |
| 印刷电路板数量 | 8 | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||