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SI4463DY
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET 20V 10A 2.5W Trans MOSFET P-CH 20V 9A 8-Pin SOIC N |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 1 | 单位包装 | 0 |
| 产品类别 | MOSFET | 工厂包装数量 | 100 |
| 标准封装名称 | SOIC | ||
合规参数
| RoHS | No | 欧盟RoHS | Not Compliant |
电气参数
| 下降时间 | 45 ns | 最大栅源电压 Vgs | ±12 |
| 额定功率 | 1.5 W | 上升时间（典型） | 45 ns |
| 晶体管类型 | P-Channel | 首抽头延迟 | 160 ns |
| 元件数量 | 1 | 击穿电压 | 20 |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 14 mOhms | 最大功耗 | 1500 |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 20 V | 导通电阻（最大） | 14@4.5V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 9 | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 12 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 9 A | ||
机械参数
| 引脚样式 | Gull-wing | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | SO-8 | 包装数量 | SOIC N |
| 位数 | 8 | ||
产品信息
| 通道类型 | Enhancement | 配置 | Single |
环境参数
| 机械寿命 | Obsolete | 工作温度 | + 150 C |