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SI2343CDS-T1-GE3
| 制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. |
| 描述 | Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R P-CHANNEL-FET 5,9A 30V SOT23 MOSFET P-CH 30V SOT-23 MOSFET 30V 5.9A P-CH MOSFET MOSFET, P CH, -30V, -5.9A, SOT-23 Vishay , P沟道 MOSFET, 4.7 A, Vds=30 V, 3针 TO-236封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | SI2343CDS-T1-GE3CT | 零件号别名 | SI2343CDS-GE3 |
| 标准包装数量 | Tape & Reel | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 海关税号 | 85412900 |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Standard | 栅极电荷 | 13.6 nC |
| 最大功率 | 2.5W | 额定功率 | 2.5 W |
| 下降时间（典型） | 8 ns | 晶体管类型 | P-Channel |
| 首抽头延迟 | 16|18 ns | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 击穿电压 | 30 V | 阈值电压 | :-1.2V |
| 导通电阻 RDS(On) | :0.037ohm | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 45@10V mOhm |
| 最大功耗 | :2.5W | 传播延迟（最大） | 25|10 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V | 每端口功率（瓦） | 1.7W |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 30V | 电流传输比（最小） | 10 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 21nC @ 10V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 30|8 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 4.2 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 5.9A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 590pF @ 15V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 5.9A (Tc) |
机械参数
| 重量 | 0.00005 | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :3 | 封装形式 | 3SOT-23 |
| 材料表面处理 | :- | 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
产品信息
| 极性 | P-CHANNEL | 匹配码 | SI2343CDS |
| 通道类型 | P | 配置 | Single |
| 标准交期 | 15 weeks | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||