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SI1034X-T1-E3
| 制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. |
| 描述 | MOSFET 20V 0.2A Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SOT-563F T/R N-CHAN.DUAL-FET 20V 0,18A SC89 MOSFET N-CH 20V 180MA SOT563F N CHANNEL, MOSFET, 20V, 200mA, SC-89 MOSFET,Power;N-Ch;VDSS20V;RDS(ON)5Ohms;ID180mA;SC-89(SOT-490);PD250mW |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | SI1034X-T1-E3TR | 标准包装数量 | 3,000 |
| 标准封装名称 | SC-89 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 | 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| FET类型 | 2 N-Channel (Dual) | 最大栅源电压 Vgs | :4.5V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 250mW |
| 开通延迟时间 | 50ns | 晶体管类型 | :N Channel |
| 关断延迟时间 | 50ns | 供电电压 | 1.2V |
| 元件数量 | 2 | Vgs(th)（最大）@ Id | 1.2V @ 250µA |
| 击穿电压 | 20 | 阈值电压 | :1.2V |
| 导通电阻 RDS(On) | :9ohm | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 5Ohm |
| 最大功耗 | 250mW | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 20V |
| 每端口功率（瓦） | 0.25W | 导通电阻（最大） | 5Ohm |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 20V | 电流传输比（最大） | 0.5S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 0.75nC @ 4.5V | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.18 | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.18A |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 180mA | ||
机械参数
| 宽度 | 1.2 | 重量 | 0.002 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | Flat |
| 极化 | N-Channel | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | SC89 | 总长度 | 1.7(Max) |
| 包装数量 | SOT-563F | 位数 | 6 |
| 外壳尺寸-插件 | 0.6(Max) | 供应商器件封装 | SC-89-6 |
产品信息
| 极性 | N-CHANNEL | 匹配码 | SI1034X-T1-GE3 |
| 通道类型 | N | 标准交期 | 15 weeks |
| 印刷电路板数量 | 6 | ||
环境参数
| 工作温度 | 150 | 结工作温度 | +150°C |
文档与媒体
PDF 文档