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2N6660JTXV02
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 20 | 单位包装 | 20 |
| 标准包装数量 | Bulk | 标准封装名称 | TO-205AD |
合规参数
| RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | 欧盟RoHS | Supplier Unconfirmed |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 725mW |
| 额定功率 | 0.725 W | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 1mA | 击穿电压 | 60 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 3000@10V mOhm | 最大功耗 | 725 |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V | 导通电阻（最大） | 3000@10V |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.99 A |
| 共模瞬态抗扰度（最小） | Military | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.99 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 50pF @ 25V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 990mA (Tc) |
机械参数
| 宽度 | 8.15(Max) | 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole | 封装形式 | 3TO-205AD |
| 冷却的封装 | TO-205AD | 总长度 | 9.4(Max) |
| 包装数量 | TO-205AD | 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 6.6(Max) | 供应商器件封装 | TO-39 |
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 极性 | N |
| 通道类型 | Enhancement | 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 125 °C | ||
文档与媒体
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