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SIS410DN-T1-GE3
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8 MOSFET 20V 35A 5.2W MOSFET, N-CH, 20V, 35A, POWERPAK8 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | SIS410DN-T1-GE3CT | 零件号别名 | SIS410DN-GE3 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 | 标准封装名称 | PowerPAK 1212 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85411000 | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 15 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 52W | 额定功率 | 5.2 W |
| 上升时间（典型） | 15 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 30 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA | 击穿电压 | 20 V |
| 阈值电压 | :1.2V | 最大额定电流 | :35A |
| 导通电阻 RDS(On) | :4mohm | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 4.8@10V mOhm |
| 最大功耗 | :5.2W | 传播延迟（最大） | 15 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 20 V | 导通电阻（最大） | 4.8@10V |
| 电流传输比（最小） | 70 S | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 41nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 25 ns | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 22 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 35 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1600pF @ 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 22A (Ta), 35A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 3.05 | 重量 | 0.001 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | No Lead |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :8 | 封装形式 | 8PowerPAK 1212 |
| 材料表面处理 | :- | 总长度 | 3.05 |
| 包装数量 | PowerPAK 1212 | 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.04 | 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
产品信息
| 通道类型 | Enhancement | 配置 | Single |
| 印刷电路板数量 | 8 | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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