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SI2328DS-T1-E3
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 100V 1.15A 3-Pin TO-236 T/R N-CHANNEL-FET 1,5A 100V SOT23 MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3 SI2328DS-T1-E3, N-channel MOSFET Transistor 1.15A 100V, 3-Pin TO-236 MOSFET, N, SOT-23 N CH MOSFET, FULL REEL TRANSMOSFETN-CH100V1.15A3-PINTO-236T/R Vishay Si N沟道 MOSFET , 1.15 A, Vds=100 V, 3针 TO-236封装 MOSFET 100V 1.5A |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | SI2328DS-T1-E3CT | 标准包装数量 | Tape & Reel |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 海关税号 | 85412900 |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 730mW |
| 下降时间（典型） | 10 ns | 晶体管类型 | :N Channel |
| 首抽头延迟 | 9 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA | 击穿电压 | 100 V |
| 阈值电压 | :4V | 最大额定电流 | :1.15A |
| 导通电阻 RDS(On) | :250mohm | 触点电压（最大） | :100V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 250@10V mOhm | 最大功耗 | 0.73 W |
| 传播延迟（最大） | 11 ns | 每端口功率（瓦） | 0.73W |
| 导通电阻（最大） | 0.25 Ω | 供电电压 (Vcc/Vdd) | 100V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 4nC @ 10V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 7 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 1.15 A |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 1.5A | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 1.15A (Ta) |
机械参数
| 宽度 | 1.4mm | 高度 | 1.02mm |
| 长度 | 3.04mm | 重量 | 0.0001 |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 端接方式 | :SMD |
| 安装类型 | Surface Mount | 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3TO-236 | 冷却的封装 | TO-236 |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 尺寸/外形 | 3.04 x 1.4 x 1.02mm |
| 位数 | 3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
产品信息
| 极性 | N-CHANNEL | 匹配码 | SI2328DS |
| 通道类型 | Enhancement | 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single | 标准交期 | 15 weeks |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||
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