点击放大查看
IRFBF30PBF
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB MOSFET N-Chan 900V 3.6 Amp MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB IRFBF30PBF, N-channel MOSFET Transistor, 3.6A 900V, 3-Pin TO-220AB N CHANNEL MOSFET, 900V, 3.6A TO-220 IRFBF30PBF Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.6A; 125W; TO220AB Vishay , N沟道 MOSFET, 3.6 A, Vds=900 V, 3针 TO-220AB封装 |
| 分类 |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 最小起订量 | 1000 | 单位包装 | 50 |
| 其他名称 | *IRFBF30PBF | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Rail / Tube | 工厂包装数量 | 1000 |
| 标准封装名称 | TO-220 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 30 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 78 nC | 最大功率 | 125W |
| 额定功率 | 125 W | 下降时间（典型） | 30 ns |
| 上升时间（典型） | 25 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 90 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA | 击穿电压 | 900 V |
| 阈值电压 | :4V | 导通电阻 RDS(On) | :3.7ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 3700@10V mOhm | 最大功耗 | 125 W |
| 传播延迟（最大） | 25 ns | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 900 V |
| 导通电阻（最大） | 3.7 Ω | 电流传输比（最小） | 2.3 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 78nC @ 10V | 直流电阻（DCR）- 初级 | 2.3 S |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 14 ns | 漏源电压（Vdss） | 900V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 3.6 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 3.6 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1200pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 3.6A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 4.7mm | 高度 | 9.01mm |
| 长度 | 10.41mm | 重量 | 0.00204 |
| 包装方式 | Tube | 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Through Hole | 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole | 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3TO-220AB | 冷却的封装 | TO-220AB |
| 总长度 | 10.41(Max) | 包装数量 | TO-220AB |
| 尺寸/外形 | 10.41 x 4.7 x 9.01mm | 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 9.01(Max) | 供应商器件封装 | TO-220AB |
产品信息
| SPG | 10 | 极性 | unipolar |
| 原理图 | see | 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET | 配置 | Single |
| 单元数量 | 1 | 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||
