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TK5A60W,S4VX
| 制造商 | |
| 描述 | DTMOSIV_600V_900MOHM MAX(VGS=1 MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC TK5A60W,S4VX MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 380pF 20nC |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | TK5A60WS4VX | 标准包装数量 | 50 |
| 工厂包装数量 | 50 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 7 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | FET特性 | Super Junction |
| 栅极电荷 | 10.5 nC | 最大功率 | 30W |
| 额定功率 | 30 W | 上升时间（典型） | 18 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 50 ns |
| 通道数量 | 1 Channel | Vgs(th)（最大）@ Id | 3.7V @ 270µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 2.7A, 10V | 平均正向功率 | 30 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 600 V | 导通电阻（最大） | 770 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10.5nC @ 10V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 40 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | 30 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 5.4 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 380pF @ 300V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 5.4A (Ta) | ||
机械参数
| 高度 | 15 mm | 长度 | 10 mm |
| 包装方式 | Tube | 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole | 封装形式 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS | ||
产品信息
| 系列 | TK5A60W | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | Toshiba |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||