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RN2115MFV(TPL3)
| 制造商 | Toshiba Corporation |
| 描述 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VESM T/R TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM Transistors Switching - Resistor Biased -50volts 100mA 3Pin 2.2Kohms x 10Kohms Bipolar Transistors - Pre-Biased -50volts 100mA 3Pin 2.2Kohms x 10Kohms |
| 分类 |
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商业参数
| 产品类别 | Transistors Switching - Resistor Biased | 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 8000 | 标准封装名称 | VESM |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Not Compliant |
电气参数
| 最大功率 | 150mW | 额定功率 | 150 mW |
| 晶体管类型 | PNP - Pre-Biased | 供电电压 | 50V |
| 基极电阻（R1） | 2.2k | 最小输入电压 | 50 V |
| 平均正向功率 | 150 mW | 最大功耗 | 150 |
| 电阻匹配比 | 0.22 | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 50 V |
| 发射极-基极电阻（R2） | 10k | Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA | 集电极截止电流（最大） | 500nA |
| 集电极脉冲电流 (Icm) | 100 mA | 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 50@10mA@5V |
机械参数
| 高度 | 1.2 mm | 长度 | 1.2 mm |
| 包装方式 | Tape and Reel | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | 3VESM |
| 包装数量 | VESM | 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | VESM | ||
产品信息
| 类型 | PNP | 系列 | RN2115 |
| 制造商全称 | Toshiba | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||
文档与媒体
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