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RN2115MFV,L3F
| 制造商 | Toshiba Corporation |
| 描述 | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor |
| 分类 |
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合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 晶体管类型 | PNP | 供电电压 | - 50 V |
| 通道数量 | 1 Channel | 基极电阻（R1） | 2.2 kOhms, 10 kOhms |
| 平均正向功率 | 150 mW | 电阻匹配比 | 0.22 |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | - 6 V | 集电极截止电流（最大） | - 100 mA |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 50 | ||
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | SOT-723-3 | ||
产品信息
| 系列 | RN2115 | 制造商全称 | Toshiba |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||