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HN1C03F-B(TE85L,F)
| 制造商 | |
| 描述 | Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 6-Pin SM T/R TRAN DUAL NPN 20V 0.3A SM6 Transistors Bipolar - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6 Bipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6 |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | HN1C03F-B(TE85LF)TR | 标准包装数量 | 3,000 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| 最大功率 | 300mW | 最大频率 | 30(Typ) MHz |
| 晶体管类型 | 2 NPN (Dual) | 供电电压 | 20V |
| Vce饱和电压（最大） | 42 mV | 最小输入电压 | 20 V |
| 过渡频率 | 30MHz | 增益带宽积 | 30 MHz |
| 平均正向功率 | 300 mW | 最大功耗 | 300 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 50 V | Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 100mV @ 3mA, 30mA |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 300mA | 集电极截止电流（最大） | 0.3 A |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 350@4mA@2V | ||
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | 6SM |
| 位数 | 6 | 供应商器件封装 | SM6 |
产品信息
| 类型 | NPN | 系列 | HN1C03 |
| 制造商全称 | Toshiba | 配置 | Dual |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||