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2SK1120(F)

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2SK1120(F)

制造商
描述
2SK1120(F), N-channel MOSFET Transistor 8A 1000V, 3-Pin TO-3P W, TO-3PN
分类
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电气参数

最大栅源电压 Vgs±20 V元件数量1
击穿电压1000 V最大功耗150 W
导通电阻(最大)1.8 Ω栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs120 nC V @ 10
峰值脉冲电流(10/1000µs)8 A输入电容(Ciss)(最大)@ Vds1300 pF V @ 25

机械参数

宽度4.8mm高度19mm
长度15.9mm安装类型Through Hole
冷却的封装TO-3P W, TO-3PN尺寸/外形15.9 x 4.8 x 19mm
位数3

产品信息

通道类型Enhancement卡标准Power MOSFET
配置Single

环境参数

工作温度+150 °C