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2SK880GRTE85LF

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2SK880GRTE85LF

制造商
描述
MOSF N CH 50V 100MW USM JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS JFET N-CH 50V 100MW USM
分类
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商业参数

其他名称2SK880GRTE85LFCT标准包装数量3,000
工厂包装数量3000

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

FET类型N-Channel最大功率100mW
额定功率100 mW晶体管类型N-Channel
输入电容13 pFVgs(th)(最大)@ Id- 50 V
平均正向功率100 mW集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic- 1.5 V
漏电流(最大)14 mA击穿电压(V(BR)GSS)50V
截止电压(VGS off)@ Id1.5V @ 100nA漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)6.5mA @ 10V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds13pF @ 10V连续漏极电流(Id)@ 25°C14 mA

机械参数

包装方式Tape & Reel (TR)安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT封装形式SC-70, SOT-323
供应商器件封装SC-70

产品信息

系列2SK880制造商全称Toshiba
配置Single