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2SK879-Y(TE85L,F)

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2SK879-Y(TE85L,F)

制造商
描述
JFET N-CH USM JFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
分类
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商业参数

其他名称2SK879-Y(TE85LF)TR标准包装数量3,000
工厂包装数量3000

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

FET类型N-Channel最大功率100mW
额定功率100 mW晶体管类型N-Channel
输入电容8.2 pFVgs(th)(最大)@ Id400mV @ 100nA
平均正向功率100 mW集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic- 5 V
漏源电压(Vdss)10 V截止电压(VGS off)@ Id400mV @ 100nA
栅极触发电压 Vgt (最大)- 30 V漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)1.2mA @ 10V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds8.2pF @ 10V连续漏极电流(Id)@ 25°C6.5 mA

机械参数

包装方式Tape & Reel (TR)安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT封装形式SC-70, SOT-323
供应商器件封装USM

产品信息

系列2SK879制造商全称Toshiba
配置Single

文档与媒体

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