点击放大查看
2SK209-Y(TE85L,F)
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET N-CH S-MINI FET 2SK209-Y(TE85L,F), JFET Transistor, N-channel 14mA 10V, 3-Pin SMini JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS Trans JFET N-CH 3mA Si 3-Pin S-Mini T/R Toshiba N通道 JFET 晶体管 10 V, Idss: 1.2 → 3.0mA, 3针 SC-59封装 |
| 分类 |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 其他名称 | 2SK209-Y(TE85LF)CT | 标准包装数量 | 3,000 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 抗辐射加固 | No |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 频率 | 1kHz |
| 最大栅源电压 Vgs | -30 V | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 150mW | 噪声系数 | 1dB |
| 额定功率 | 150 mW | 测试电压 | 10V |
| 晶体管类型 | N-Channel | 输出电流 | 500µA |
| 供电电压 | 10 V | 输入电容 | 13 pF |
| Vgs(th)（最大）@ Id | -50V | 击穿电压 | 10 V |
| 平均正向功率 | 150 mW | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 1.5 V |
| 漏电流（最大） | 14 mA | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | -30 V |
| 漏源电压（Vdss） | 50V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 14 mA |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | -50V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 14 mA |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 13pF @ 10V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 10mA |
机械参数
| 宽度 | 1.5mm | 高度 | 1.1mm |
| 长度 | 2.9mm | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 3 | 封装形式 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 冷却的封装 | SMini | 包装数量 | SC-59 |
| 尺寸/外形 | 2.9 x 1.5 x 1.1mm | 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | SC-59 | ||
产品信息
| 系列 | 2SK209 | 功能 | Y |
| 通道类型 | N | 制造商全称 | Toshiba |
| 配置 | Single | 每IC通道数 | 单 |
环境参数
| 工作温度 | +125 °C | 结工作温度 | 125C |