芯天下
CSD75205W1015

点击放大查看

CSD75205W1015

制造商
描述
Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 6-Pin DSBGA T/R MOSFET PCH -20V -1.2A 6DSBGA MOSFET Dual PCh NexFET Pwr MOSFET MOSFET, PP CH, 20V, 1.2A, 6DSBGA
分类
对参数有疑问?问 AI 助手

商业参数

商标名NexFET其他名称296-25335-2
产品类别MOSFET标准包装数量Tape & Reel
工厂包装数量3000标准封装名称BGA

合规参数

RoHSLead free / RoHS CompliantSVHC:No SVHC (16-Dec-2013)
欧盟RoHSCompliant海关税号85412900
抗辐射加固No

电气参数

FET类型2 P-Channel (Dual)下降时间17 ns
最大栅源电压 Vgs-6 VFET特性Logic Level Gate
栅极电荷1.6 nC最大功率750mW
额定功率0.75 W下降时间(典型)17 ns
上升时间(典型)5.3 ns晶体管类型P-Channel
首抽头延迟32 ns元件数量2
Vgs(th)(最大)@ Id850mV @ 250µA击穿电压20 V
阈值电压:-650mV导通电阻 RDS(On):0.095ohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs145@2.5V mOhm最大功耗:750mW
传播延迟(最大)5.3 ns集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic- 20 V
导通电阻(最大):0.145ohm电流传输比(最小)5 S
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs2.2nC @ 4.5V开关时间(Ton, Toff)(最大)6.3 ns
漏源电压(Vdss)20V峰值脉冲电流(10/1000µs)1.2 A
栅极触发电压 Vgt (最大)- 6 V漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)- 1.2 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds265pF @ 10V连续漏极电流(Id)@ 25°C1.2A

机械参数

宽度1.8重量0.0002
包装方式Tape and Reel引脚样式Ball
安装类型Surface Mount安装样式SMD/SMT
引脚数:6封装形式6DSBGA
冷却的封装DSBGA材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
总长度1.3包装数量DSBGA
位数6外壳尺寸-插件0.65
供应商器件封装6-DSBGA (1x1.5)

产品信息

类型Power MOSFET系列CSD75205W1015
极性P通道类型P
配置Dual模块/板类型:Dual P Channel
印刷电路板数量6

环境参数

工作温度-55 to 150 °C

文档与媒体

PDF 文档
Farnell Electronics-
库存10 件可订购
人民币含税
数量单价总价
1+✓¥2.9043¥2.90
25+¥2.6622¥66.55
100+¥2.5010¥250.10
250+¥2.2590¥564.75
500+¥2.0978¥1048.90
订购数量
单价 × 数量¥2.9043 × 1
合计金额¥2.90
💡 再购 24 件,单价可降至 ¥2.6622
CoreStaff7 days
库存10 件可订购
人民币含税
数量单价总价
1+✓¥13.0703¥13.07
10+¥8.7135¥87.13
50+¥5.6481¥282.41
100+¥5.0021¥500.21
500+¥4.9218¥2460.90
1000+¥4.8409¥4840.90
2000+¥4.8409¥9681.80
4000+¥4.8409¥19363.60
订购数量
单价 × 数量¥13.0703 × 1
合计金额¥13.07
💡 再购 9 件,单价可降至 ¥8.7135
原厂授权渠道
批次全程可溯
100%原装保障
原厂标准包装