TSM7N65CI C0
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET 650V 3Amp N Channel Pwr MOSFET Isolated |
| 分类 |
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合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 下降时间 | 19 nS | 栅极电荷 | 46 nC |
| 额定功率 | 30 W | 上升时间（典型） | 14 nS |
| 晶体管类型 | N-Channel | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1.2 Ohms |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 650 V | 电流传输比（最小） | 3.7 S |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 7 A | ||
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-220-3 FP | ||
产品信息
| 配置 | Single | ||
文档与媒体
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