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TSM4ND50CP RO

制造商
描述
MOSFET 500V 4Amp N Channel Power MOSFET
分类
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合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

下降时间4.5 S栅极电荷12 nC
额定功率45 W上升时间(典型)9 nS
晶体管类型N-Channel导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs2.7 Ohms
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic500 V电流传输比(最小)1.5 S
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)3 A

机械参数

包装方式Reel安装样式SMD/SMT
封装形式TO-252

产品信息

配置Single

文档与媒体

PDF 文档