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STF13NM60N
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube N-CH 600V 11A 360mOhm TO220FP MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP STF13NM60N, N-channel MOSFET Transistor, 11A 600V, 3-Pin TO-220FP MOSFET N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin (3+Tab) TO-220FP T/R STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 11 A, Vds=600 V, 3针 TO-220FP封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 1000 | 单位包装 | 50 |
| 其他名称 | 497-8892-5 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Bulk | 标准封装名称 | TO-220F |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 汽车级 | NO | 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 10 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±25 V | 逻辑类型 | NO |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 25W |
| 额定功率 | 25 W | 下降时间（典型） | 10 ns |
| 上升时间（典型） | 8 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 30 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA | 击穿电压 | 650 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 360@10V mOhm | 最大功耗 | 25 W |
| 传播延迟（最大） | 8 ns | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 600 V |
| 每端口功率（瓦） | 25W | 导通电阻（最大） | 0.36 Ω |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 600V | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 30nC |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 3 ns | 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 11 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 25 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 11A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 790pF @ 50V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 11A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 4.6mm | 高度 | 16.4mm |
| 长度 | 10.4mm | 包装方式 | Tube |
| 引脚样式 | Through Hole | 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole | 封装形式 | 3TO-220FP |
| 冷却的封装 | TO-220FP | 包装数量 | TO-220FP |
| 尺寸/外形 | 10.4 x 4.6 x 16.4mm | 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | ||
产品信息
| 匹配码 | STF13NM60N | 技术 | MDmesh II |
| 通道类型 | Enhancement | 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single | 标准交期 | 10 weeks |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | 热阻 @ GPM | 5K/W |
文档与媒体
PDF 文档