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L6387ED013TR
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SO N T/R HaBr MOSvIGBTDr 600V SO-8 SMD IC DRIVER HI/LO SIDE HV 8-SOIC Gate Drivers HV H-Bridge driver |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 2500 | 产品 | Half-Bridge Drivers |
| 单位包装 | 2500 | 其他名称 | 497-6218-2 |
| 产品类别 | Gate Drivers | 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 2500 | 标准封装名称 | SOIC |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 汽车级 | NO | 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform | 故障保护 | NANY/N/NA/NAN |
电气参数
| 下降时间 | 30 ns | 频率 | 0.4 MHz |
| 延迟时间 | 110ns | 输入类型 | Non-Inverting |
| 额定功率 | 0.75 W | 开通延迟时间 | 110 ns |
| 最大频率 | 0.4 MHz | 上升时间（典型） | 50(Typ) ns |
| 输出电流 | 650 mA | 关断延迟时间 | 105 ns |
| 驱动电路 | High and Low Side | 供电电压 | 17V |
| 输出数量 | 2 | 峰值输出电流 | 0.65 A |
| 最小输入电压 | 600V | 最小供电电压 | 17 V |
| 输入逻辑低电平 | CMOS/TTL | 最大功耗 | 750 mW |
| 传播延迟时间 | 110 ns | 输入逻辑高电平 | CMOS|TTL |
| 导通电阻（最大） | NY/N/NA/NAN | 传播速度（VoP） | 18V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 400mA | 漏电流（IS(off)）（最大） | NY/N/NA/NAN |
| 最大传播延迟 @ V, 最大CL | 30(Typ) ns | 高侧电压（自举）最大 | 600V |
| 传播延迟 tpLH / tpHL（最大） | 110(Typ) | ||
机械参数
| 宽度 | 4(Max) | 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | 8SO N |
| 冷却的封装 | SO N | 总长度 | 5(Max) |
| 包装数量 | SO N | 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.65(Max) | 供应商器件封装 | 8-SO |
产品信息
| 类型 | Non-Inverting | 匹配码 | L6387ED013TR |
| 配置 | High and Low Side, Independent | 驱动器数量 | 2 |
| 标准交期 | 13 weeks | 印刷电路板数量 | 8 |
| 配置数 | 1 | ||
环境参数
| 工作温度 | -45 to 125 °C | 结工作温度 | -45°C |
文档与媒体
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