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2N7002
| 制造商 | STMicroelectronics N.V. |
| 描述 | MOSFET N-Ch 60 Volt 0.20 A 1.8 Ohm STripFET Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Z MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23-3 Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R MOSFET, N, 0.2A, 60V, SOT-23 MOSFET,Power;N-Ch;VDSS60V;RDS(ON)1.8Ohms;ID0.2A;SOT-23-3L;PD0.35W;VGS+/-1 |
| 分类 |
商业参数
| 最小起订量 | 18000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | 497-3111-2 | 标准包装数量 | 3,000 |
| 标准封装名称 | SOT-23 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85412900 |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | :10V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 350mW |
| 开通延迟时间 | 5ns | 晶体管类型 | :N Channel |
| 关断延迟时间 | 7ns | 供电电压 | 1.2V |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 击穿电压 | 60 | 阈值电压 | :2.1V |
| 最大额定电流 | :200mA | 导通电阻 RDS(On) | :7.5ohm |
| 触点电压（最大） | :60V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
| 最大功耗 | :360mW | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60V |
| 导通电阻（最大） | 1.8Ohms | 电流传输比（最大） | 0.6S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 2nC @ 5V | 峰值脉冲电流（8/20µs） | :800mA |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.2 |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.2A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 43pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 115mA | ||
机械参数
| 深度 | :2.5mm | 宽度 | :3.05mm |
| 长度 | :1.12mm | 重量 | 0.002 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 极化 | N-Channel | 安装类型 | Surface Mount |
| 引脚数 | :3 | 封装形式 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 包装数量 | SOT-23 |
| 胶带最大宽度 | :8mm | 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 | ||
产品信息
| SMD标记 | :72 | 通道类型 | Enhancement |
| 使用的IC/零件 | :ST2N | ||
环境参数
| 测试温度 | :25°C | 工作温度 | :-55°C |
| 结工作温度 | +150°C | ||
文档与媒体
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