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2N5416

制造商	STMicroelectronics N.V.
描述	Trans GP BJT PNP 300V 1A 3-Pin TO-39 Bag PNP TRAN 300V 1 TRANS PNP 300V 1A TO-39 2N5416, PNP Bipolar Transistor, 1A 300V HFE:30V Power, 3-Pin TO-39 Transistors Bipolar - BJT PNP Power Switching RF TRANSISTOR, PNP, TO-39 TRANSISTOR;PNP;-300V;-350V;-6V;-1A;-0.5A Transistor: PNP; bipolar; 350V; 1A; 10W; TO5
分类	分立半导体元件双极型晶体管通用双极型晶体管

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商业参数

最小起订量	800	单位包装	100
其他名称	497-2596-5	产品类别	Transistors Bipolar - BJT
标准包装数量	Bag	工厂包装数量	100
标准封装名称	TO-205-AF

合规参数

RoHS	Lead free / RoHS Compliant	SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHS	Compliant	海关税号	85412900
抗辐射加固	No

电气参数

电流	-0.5A	频率	15 MHz
最大功率	1W	额定功率	1 W
最大频率	15(Min) MHz	晶体管类型	PNP
供电电压	300V	元件数量	1
25°C时电阻	17.5°C/W	Vce饱和电压（最大）	- 2.5 V
最小输入电压	300 V	过渡频率	15MHz
增益带宽积	15 MHz	电源电压（最大）	6 V
最大功耗	1000 mW	集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	350 V
漏电流（最大）	120	Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic	2.5V @ 5mA, 50mA
集电极电流（Ic）（最大）	1A	集电极截止电流（最大）	1 A
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce	30@50mA@10V	集电极-发射极击穿电压（最大）	6 V

机械参数

宽度	9.4mm	高度	6.6mm
长度	9.4mm	重量	0.0024
包装方式	Bag	引脚样式	Through Hole
安装类型	Through Hole	安装样式	Through Hole
引脚数	:3	封装形式	3TO-39
冷却的封装	TO-39	材料表面处理	:-
包装数量	TO-39	主要材料	Si
尺寸/外形	6.6 x 9.4 x 9.4mm	外径	9.4(Max)
位数	3	外壳尺寸-插件	6.6(Max)
供应商器件封装	TO-39

产品信息

SPG	400	类型	PNP
极性	PNP	卡标准	Bipolar Power
配置	Single	单元数量	1
射频系列/标准	:TO-39	使用的IC/零件	:2N5416
印刷电路板数量	3

环境参数

工作温度

-65 to 200 °C

文档与媒体

PDF 文档

Metal Package Devices 17/Jun/2013

PDF 文档

CD00001221.pdf

PDF 文档

1700359.pdf

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