5HN01M-TL-E-SA
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 100MA MCP |
| 分类 |
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合规参数
| 零件状态 | Obsolete | 资质认证 | - |
电气参数
| FET类型 | N-Channel | 最大栅源电压 Vgs | ±20V |
| FET特性 | - | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.4V @ 100µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 7.5Ohm @ 50mA, 10V | 最大功耗 | 150mW (Ta) |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 1.4 nC @ 10 V | 漏源电压（Vdss） | 50 V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 6200 pF @ 10 V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 100mA (Ta) |
机械参数
| 包装方式 | Bulk | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | SC-70, SOT-323 | 供应商器件封装 | MCP |
产品信息
| 制造商 | Sanyo | 等级 | - |
| 系列 | - | 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
环境参数
| 工作温度 | 150°C | ||
文档与媒体
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