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合规参数
| 零件状态 | Active | 资质认证 | - |
电气参数
| FET类型 | P-Channel | 最大栅源电压 Vgs | ±20V |
| FET特性 | - | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 15A, 10V | 最大功耗 | 25W (Tc) |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 19.3 nC @ 10 V | 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1030 pF @ 20 V | 驱动电压（最大Rds On，最小Rds On） | 4.5V, 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 15A (Tc) | ||
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | 供应商器件封装 | TO-252 |
产品信息
| 制造商 | Rohm Semiconductor | 等级 | - |
| 系列 | - | 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基础产品编号 | RD3G01 | ||
环境参数
| 工作温度 | 150°C (TJ) | ||
文档与媒体
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