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R6576KNZ4C13
| 制造商 | micon |
| 描述 | . R6576KNZ4C13 - N-Channel 650 V 76A (Tc) 735W (Tc) Through Hole TO-247G from Rohm Semiconductor. from now! |
| 分类 |
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合规参数
| 零件状态 | Active | 资质认证 | - |
电气参数
| FET类型 | N-Channel | 最大栅源电压 Vgs | ±20V |
| FET特性 | - | Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 2.96mA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 44.4A, 10V | 最大功耗 | 735W (Tc) |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 165 nC @ 10 V | 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 7400 pF @ 25 V | 驱动电压（最大Rds On，最小Rds On） | 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 76A (Tc) | ||
机械参数
| 包装方式 | Tube | 安装类型 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-247-3 | 供应商器件封装 | TO-247G |
产品信息
| 制造商 | Rohm Semiconductor | 等级 | - |
| 系列 | - | 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基础产品编号 | R6576 | ||
环境参数
| 工作温度 | 150°C (TJ) | ||