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NP36P06SLG-E1-AY

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NP36P06SLG-E1-AY

制造商
描述
Trans MOSFET P-CH 60V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R MOSFET P-CH -60V -36A TO-252
分类
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商业参数

标准包装数量Bulk标准封装名称DPAK

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant
抗辐射加固No

电气参数

FET类型MOSFET P-Channel, Metal Oxide最大栅源电压 Vgs±20 V
FET特性Logic Level Gate最大功率1.2W
额定功率1.2 W下降时间(典型)110 ns
首抽头延迟190 ns元件数量1
击穿电压60 V导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs30@10V mOhm
最大功耗1200传播延迟(最大)12 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic60 V导通电阻(最大)0.03 ohm
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs52nC @ 10V开关时间(Ton, Toff)(最大)7 ns
漏源电压(Vdss)60V峰值脉冲电流(10/1000µs)36 A
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)36 A输入电容(Ciss)(最大)@ Vds3200pF @ 10V
连续漏极电流(Id)@ 25°C36A (Tc)

机械参数

宽度6.1包装方式Tape and Reel
插片宽度Tab引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount封装形式3TO-252
冷却的封装TO-252总长度6.5
包装数量TO-252位数3
外壳尺寸-插件2.3供应商器件封装TO-252 (MP-3ZK)

产品信息

类型Power MOSFET极性P
通道类型P印刷电路板数量2

环境参数

工作温度-55 to 175 °C

文档与媒体

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