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NP36P06KDG-E1-AY
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET P-CH 60V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R NP36P06KDG-E1-AY MOSFET P-CH -60V -36A TO-263 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 1 | 单位包装 | 0 |
| 其他名称 | NP36P06KDG-E1-AYDKR | 标准包装数量 | Tape & Reel |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 1.8W |
| 下降时间（典型） | 110 ns | 首抽头延迟 | 210 ns |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 1mA | 击穿电压 | 60 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 29.5@10V mOhm | 传播延迟（最大） | 11 ns |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 54nC @ 10V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 8 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 36 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 3100pF @ 10V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 36A (Tc) |
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | 3TO-263 | 供应商器件封装 | TO-263 |
产品信息
| 通道类型 | P | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 175 °C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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