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NP100P04PDG-E1-AY
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET P-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R MOSFET P-CH -40V MP-25ZP/TO-263 MOSFET -40V 4mOhm AECQ TO263 |
| 分类 |
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商业参数
| 标准包装数量 | Tape & Reel | 标准封装名称 | D2PAK |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 汽车级 | NO | 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 1.8W |
| 额定功率 | 1.8 W | 下降时间（典型） | 100 ns |
| 首抽头延迟 | 300 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 1mA | 二极管配置 | NO |
| 击穿电压 | 40 V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 3.5@10V mOhm |
| 最大功耗 | 1800 | 传播延迟（最大） | 30 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 40 V | 逻辑电压 - VIL, VIH | YES |
| 每端口功率（瓦） | 200 W | 导通电阻（最大） | 0.0035 ohm |
| 空闲电流，典型值 @ 25°C | -100 A | 供电电压 (Vcc/Vdd) | -40 V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 320nC @ 10V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 38 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 100 A |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 100 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 15100pF @ 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 100A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 9.15 | 包装方式 | Tape and Reel |
| 插片宽度 | Tab | 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount | 封装形式 | 3TO-263 |
| 冷却的封装 | TO-263 | 总长度 | 10 |
| 包装数量 | TO-263 | 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 4.45 | 供应商器件封装 | TO-263 |
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 极性 | P |
| 技术 | NP-Series | 通道类型 | P |
| 配置 | P-CH | 印刷电路板数量 | 2 |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 175 °C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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