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HAT2279H-EL-E

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HAT2279H-EL-E

制造商
描述
Trans MOSFET N-CH 80V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
分类
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商业参数

标准包装规格2,500标准包装数量Cut Tape
标准封装名称LFPAK

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide最大栅源电压 Vgs±20 V
FET特性Logic Level Gate最大功率25W
首抽头延迟56 ns元件数量1
击穿电压80 V导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs12@10V mOhm
最大功耗25000传播延迟(最大)14.5 ns
导通电阻(最大)12@10V栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs60nC @ 10V
开关时间(Ton, Toff)(最大)9.5 ns漏源电压(Vdss)80V
峰值脉冲电流(10/1000µs)30 A输入电容(Ciss)(最大)@ Vds3520pF @ 10V
连续漏极电流(Id)@ 25°C30A (Ta)

机械参数

宽度3.95包装方式Tape and Reel
插片宽度Tab引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount封装形式5LFPAK
总长度4.9包装数量LFPAK
位数5外壳尺寸-插件1(Max)
供应商器件封装LFPAK

产品信息

通道类型Enhancement印刷电路板数量4

环境参数

工作温度-55 to 150 °C

文档与媒体

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