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HAT2166H-EL-E

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HAT2166H-EL-E

制造商
描述
Trans MOSFET N-CH 30V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
分类
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商业参数

标准包装规格2,500标准包装数量Tape & Reel

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant抗辐射加固No

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide最大栅源电压 Vgs±20 V
FET特性Logic Level Gate最大功率25W
额定功率25 W下降时间(典型)7.5 ns
首抽头延迟55 ns元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id2.5V @ 1mA击穿电压30 V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs2.9@10V mOhm传播延迟(最大)35 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30 V导通电阻(最大)0.0029 ohm
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs27nC @ 4.5V开关时间(Ton, Toff)(最大)12 ns
漏源电压(Vdss)30V峰值脉冲电流(10/1000µs)45 A
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)45 A输入电容(Ciss)(最大)@ Vds4400pF @ 10V
连续漏极电流(Id)@ 25°C45A (Ta)

机械参数

包装方式Tape & Reel (TR)安装类型Surface Mount
封装形式5LFPAK冷却的封装LFPAK
位数4 +Tab供应商器件封装LFPAK

产品信息

类型Power MOSFET极性N
通道类型Enhancement

环境参数

工作温度-55 to 150 °C

文档与媒体

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