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MTM232270LBF
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET Nch MOS FET MOSFET N CH 20V 2A SMINI3-G1-B MOSFET N-Ch 20V 2A SMini3-G1-B Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SMini3-G1-B T/R MOSFET, P-CH, 20V, SMINI3-G1-B Panasonic , N沟道 MOSFET, 2 A, Vds=20 V, 3针 SMini3-G1-B封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | MTM232270LBFTR | 标准包装数量 | 3,000 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 海关税号 | 85412900 |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±10 V |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 500mW |
| 额定功率 | 500 mW | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 60 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.3V @ 1mA | 击穿电压 | 20 V |
| 阈值电压 | :850mV | 导通电阻 RDS(On) | :0.085ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 110 mOhms | 最大功耗 | 500 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 20 V | 导通电阻（最大） | 110 mΩ |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 12 ns | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 2 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | 10 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 2 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 290pF @ 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 2A (Ta) | ||
机械参数
| 宽度 | 1.25mm | 高度 | 0.9mm |
| 长度 | 2mm | 重量 | 0.0001 |
| 包装方式 | Reel | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | SMini3-G1-B | 冷却的封装 | SMini3-G1-B |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 尺寸/外形 | 2 x 1.25 x 0.9mm |
| 位数 | 3 | 供应商器件封装 | SMini3-G1-B |
产品信息
| 通道类型 | Depletion | 卡标准 | Power MOSFET |
环境参数
| 机械寿命 | New At Mouser | 工作温度 | +150 °C |
文档与媒体
PDF 文档
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