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DMG564010R

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DMG564010R

制造商
描述
Transistors Bipolar - BJT Composite Transistor w/ Built n Resistor TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 Bipolar Transistors - BJT Composite Transistor w/ Built n Resistor
分类
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商业参数

其他名称DMG564010RTR标准包装规格3,000
标准包装数量3,000

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

最大功率150mW晶体管类型NPN/PNP
供电电压- 50 V基极电阻(R1)10k
平均正向功率150 mW最大功耗150 mW
发射极-基极电阻(R2)10kVce饱和电压(最大)@ Ib, Ic250mV @ 500µA, 10mA
集电极电流(Ic)(最大)100mA集电极截止电流(最大)100 mA
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce35

机械参数

包装方式Reel安装类型Surface Mount
封装形式SMini6-F3-B供应商器件封装SMini6-F3-B

产品信息

制造商全称Panasonic

文档与媒体

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