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MTM684100LBF
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.9x2.8mm MOSFET P-CH 12V 4.8A WMINI8 Trans MOSFET P-CH 12V 4.8A 8-Pin WMini8-F1 MOSFET, P-CH, 12V, 4.8A, WMINI8 |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | MTM684100LBFTR | 标准包装数量 | 3,000 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 海关税号 | 85412900 |
电气参数
| FET类型 | 2 P-Channel (Dual) | 下降时间 | 85 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | :-4V | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 1W | 额定功率 | 1 W |
| 上升时间（典型） | 11 ns | 晶体管类型 | P-Channel |
| 首抽头延迟 | 235 ns | Vgs(th)（最大）@ Id | 1V @ 1mA |
| 阈值电压 | :-650mV | 最大额定电流 | :-4.8A |
| 导通电阻 RDS(On) | :32mohm | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 1A, 4V |
| 最大功耗 | :1W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 12 V |
| 导通电阻（最大） | :0.05ohm | 电流传输比（最小） | 3.5 S |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 8 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | - 4.8 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1200pF @ 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 4.8A | ||
机械参数
| 重量 | 0.0001 | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :8 | 封装形式 | 8-SMD, Flat Lead |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 供应商器件封装 | WMini8-F1 |
产品信息
| 配置 | Dual | ||
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||
文档与媒体
PDF 文档