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FK8V03050L
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET Nch MOS FET MOSFET N CH 33V 8A WMINI8-F1 MOSFET N-Channel 33V 8A WMini8-F1 Panasonic , N沟道 MOSFET, 10 A, Vds=33 V, 8针 WMini8-F1封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | FK8V03050LTR | 标准包装规格 | 3,000 |
| 标准包装数量 | 3,000 | 工厂包装数量 | 3000 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 1W |
| 额定功率 | 1 W | 开通延迟时间 | 8 ns |
| 输出功能 | 消耗 | 晶体管类型 | N-Channel |
| 关断延迟时间 | 32 ns | 首抽头延迟 | 32 ns |
| 供电电压 | 33 V | 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 | 输入电阻 | 25 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 730µA | 击穿电压 | 33 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 4A, 10V | 平均正向功率 | 1 W |
| 最大功耗 | 1.5 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 33 V |
| 导通电阻（最大） | 25 mΩ | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 5.1nC @ 4.5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 8 ns | 漏源电压（Vdss） | 33V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 10 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 8 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 520pF @ 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 8A (Ta) | ||
机械参数
| 宽度 | 2.4mm | 高度 | 0.83mm |
| 长度 | 2.9mm | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 8 | 封装形式 | 8-SMD, Flat Lead |
| 冷却的封装 | WMini8-F1 | 包装数量 | WMini8-F1 |
| 尺寸/外形 | 2.9 x 2.4 x 0.83mm | 位数 | 8 |
| 供应商器件封装 | WMini8-F1 | ||
产品信息
| 功能 | Y | 技术 | Si |
| 通道类型 | Depletion | 制造商全称 | Panasonic |
| 卡标准 | Power MOSFET | 配置 | Quad Drain, Triple Source |
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||