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FC8V22040L
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET Nch+Nch MOS FET MOSFET N CH 24V 8A WMINI8-F1 MOSFET Dual N-Channel 24V 8A WMini8-F1 Panasonic , 双 N沟道 MOSFET, 8 A, Vds=24 V, 8针 WMini8-F1封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | FC8V22040LTR | 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | 2 N-Channel (Dual) | 最大栅源电压 Vgs | ±12 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 1W |
| 额定功率 | 1 W | 开通延迟时间 | 0.6 ns |
| 输出功能 | 消耗 | 晶体管类型 | N-Channel |
| 关断延迟时间 | 4400 ns | 首抽头延迟 | 4.4 μs |
| 供电电压 | 24 V | 通道数量 | 2 Channel |
| 元件数量 | 2 | 输入电阻 | 20 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.5V @ 1mA | 击穿电压 | 24 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 4A, 4.5V | 平均正向功率 | 1 W |
| 最大功耗 | 1.2 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 24 V |
| 导通电阻（最大） | 20 mΩ | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | ±12 V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 0.6 ns | 漏源电压（Vdss） | 24V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 8 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | 12 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 8 A | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 8A |
机械参数
| 宽度 | 2.4mm | 高度 | 0.83mm |
| 长度 | 2.9mm | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 8 | 封装形式 | 8-SMD, Flat Lead |
| 冷却的封装 | WMini8-F1 | 包装数量 | WMini8-F1 |
| 尺寸/外形 | 2.9 x 2.4 x 0.83mm | 位数 | 8 |
| 供应商器件封装 | WMini8-F1 | ||
产品信息
| 功能 | Y | 技术 | Si |
| 通道类型 | Depletion | 制造商全称 | Panasonic |
| 卡标准 | Power MOSFET | 配置 | Dual |
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||
文档与媒体
PDF 文档