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Q60215Y1112
| 制造商 | |
| 描述 | Phototransistor Chip Silicon 830nm 3-Pin TO-18 |
| 分类 |
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商业参数
| 标准包装数量 | Bulk | ||
电气参数
| 感应角度 | 16 ° | 视角 | Top View |
| 上升时间（典型） | 7000 ns | 晶体管类型 | Phototransistor |
| 峰值波长 | 830 nm | 集电极电流（Ic）（最大） | 100 mA |
机械参数
| 透镜样式 | Domed | 封装形式 | 3TO-18 |
产品信息
| 类型 | Chip | 极性 | NPN |